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铜化学-机械抛光工艺用抛光液

发布时间:2020/1/8 10:12:44  点击:138次


背景技术:

化学-机械抛光( chemical-mechanical polishing, 简称CMP )技术是目前唯一能全局平面化的技术。铜表面全局平面化加工技术使用的抛光液中,有铁氰化钾和苯并三氮唑抛光液等。前者是在铜表面形成无机复合盐的钝化膜后,通过磨粒的磨损来达到全局平面化,此法抛光速率较快,但成本较高;后者是在铜表面形成有机复合盐的钝化膜后,再通过磨粒的磨损来达到全局平面化的,此法抛光速率较低,铜表面钝化膜成膜速率较慢,平面化效果较差,且所用有机物成本较高。本发明是在铜表面形成氧化亚铜钝化膜,通过磨粒的磨损来达到全局平面化,抛光速率较快,成本低。
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